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美光科技公司与英特尔公司7月25日宣布试制成功了业内首个基于行业领先的50纳米（nm）制程技术的NAND
闪存，兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过IM闪存技术公司制造，该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4Gb设备，计划2007年开始大规模生产多种容量密度的50纳米产品。
英特尔公司与美光科技公司将通过向50纳米制程技术转移来满足对更高密度NAND闪存日益增长的需求，该产品可广泛用于计算和消费电子应用，如数字音乐播放器、移动存储及手持通信设备等。据行业调研预测，2006年NAND细分市场估计在130亿至160亿美元，2010年可增长到大约250亿至300亿美元。
美光科技公司负责存储器业务的副总裁 Brian Shirley 表示，“美光科技公司于 2004 年涉足 NAND 业务，当时采用的是90
纳米制程技术。在短短几年中，通过与英特尔公司的合作，我们现在随时准备推出基于尖端制程技术的领先产品。美光科技公司将继续致力于NAND业务，迅速向50纳米制程技术过渡，不断开发更先进的工艺节点，从而推出更高密度的产品。”
英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理 Brian Harrison
说，“我们从开展NAND闪存业务起就一直保持着迅猛的发展势头。今年第一季度我们开始向客户发运产品，并且我们注意到在多种闪存密度上都有着很高的需求。通过与美光科技公司合作，我们随时准备向50纳米制程技术及今后更先进的制程技术过渡。”
今年1月，美光科技公司与英特尔公司共同创办了 IM 闪存技术公司（IMFT），为双方制造 NAND 闪存产品。自公司创办以来，IMFT
已大规模加强生产设备。美光科技公司目前通过它在博伊西的制造工厂为 IMFT 供应 NAND
闪存，而且美光科技公司于弗吉尼亚州马纳萨斯的300毫米工厂将在今年晚些时候投入生产，届时将为IMFT供应NAND。此外，归IMFT公司使用并作为其总部的犹他州Lehi工厂预计将于明年年初上线生产NAND。宋夏
